[发明专利]片状Cu2ZnSnS4薄膜的制备方法

摘要

本发明涉及一种片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，该方法是将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO垂直紧靠杯壁放入溶液中，将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，在80‑90℃反应0.5‑2小时，将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜，洗净、烘干；之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到反应釜中，在180℃反应10‑12h，反应物冷却，洗净、烘干；通过氮气退火得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。本发明制备方法绿色环保且操作简单，所用前躯体材料成本低廉，制备的薄膜呈片状颗粒，且分布均匀，有利于提高其光电特性。

主权项

1.片状C2ZnSnS4薄膜的制备方法，其特征在于该方法的工艺步骤如下：a. 首先通过化学浴法将1‑4mmol二水合氯化亚锡、1.5‑8mmol硫代乙酰胺加入到200ml去离子水的瓶子中，调节溶液pH=0.2‑1.0，将洗干净FTO用夹子夹着垂直紧靠杯壁放入溶液中，然后将溶液放入到恒温磁力搅拌器中，温度设为80‑90℃，反应时间0.5‑2小时，转速保持600转/min，之后将FTO取出，得到SnS纳米片薄膜；然后用去离子水清洗干净，放入烘箱烘干；b. 之后将0.8‑1.2mmol五水合硫酸铜、0.025‑0.04mmol 氯化锌、4‑6mmol硫脲和生长好的SnS和15ml去离子水放入到一个40ml的反应釜中，在180℃反应10‑12h，将反应釜移出加热装置使反应物冷却，用去离子水冲洗干净，烘干；c. 再将步骤b产物在500℃通有氮气的退火炉中退火2h即得到Cu2ZnSnS4片状薄膜。