[发明专利]一种单相多铁性薄膜及其制备方法和用途

摘要

本发明公开了一种单相多铁性薄膜的制备方法，包括：清洗衬底后将靶材和所述衬底置于镀膜腔内，调节腔体内压强；升高衬底温度，然后在腔体内充入O2，并调节腔体内压强；调节衬底和靶材之间的距离，并调节衬底和靶材旋转；调节激光器的重复频率和脉冲能量；进行薄膜沉积，然后保温；保温结束后冷却至室温，其中，所述靶材的化学组成为(1‑m)BiTi(1‑n)/2FenMg(1‑n)/2O3‑mCaTiO3，其中，0m1，0n1。本发明所提供的制备方法，在制备含复杂氧化物薄膜时具有独特优势，且制备过程中可精确控制薄膜生长。本发明还提供了一种单相多铁性薄膜及其在电子器件中的用途，制备的薄膜致密均匀，在室温下同时具有铁电性，铁磁性和磁电互控性能，可以用于包含薄膜的电子器件中，具有广泛的应用前景。

主权项

1.一种单相多铁性薄膜的制备方法，所述制备方法包括以下步骤：清洗衬底后将靶材和所述衬底置于镀膜腔内，调节腔体内压强在1×10‑4Torr以下；加热衬底至480‑650℃，然后在腔体内充入O2，调节腔体内压强为1‑10×10‑2Torr；调节衬底和靶材之间的距离，并调节衬底和靶材旋转；调节激光器的重复频率为50Hz，脉冲能量为85～100mJ；进行薄膜沉积5‑60min，然后保温10‑30min；保温结束后冷却至室温，其中，所述靶材的化学组成为(1‑m)BiTi(1‑n)/2FenMg(1‑n)/2O3‑mCaTiO3，0

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