[发明专利]一种高硬度四元难熔高熵合金薄膜的制备方法

摘要

本发明公开了一种高硬度四元难熔高熵合金薄膜的制备方法，包括以下内容：基体Si片的清洗、吹干并放入进样室进行反溅进一步清洗表面杂质；将基体传至溅射腔，装靶，抽高真空后对基体Si片进行加热并继续抽真空；通氩气并将靶接入直流电源，设置溅射功率和偏压，调整工作气压，预溅射以清理靶材表面的杂质；打开试样盘挡板和自转，开始溅射；结束溅射后使样品在溅射腔真空中冷却至室温后取出；测试该薄膜的纳米压入硬度。本发明采用的是直流磁控溅射的方法沉积薄膜，得到了表面光滑平整且膜厚均匀的四元难熔高熵合金薄膜，该薄膜由BCC和少量HCP固溶体相构成。

主权项

1.一种高硬度四元难熔高熵合金薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)将Si片基体分别在丙酮、酒精和去离子水中进行超声清洗，去除其表面的污染物；2)将清洗好的Si片基体吹干，使其表面不留下去离子水渍；3)将夹持在试样盘上的Si片传入进样室进行反溅，用于进一步清洗Si片基体，提高其溅射时的表面质量；4)将夹持Si片基体的试样盘传至溅射腔内，高熵合金块体靶材放置在靶盘上，抽溅射腔真空至真空度为5.0×10‑5～5.0×10‑4Pa，打开基体加热电源并加热到目标温度，继续抽真空使真空度提高至5.0×10‑5～5.0×10‑4Pa；5)通入Ar气，将靶材接入电源，设置溅射功率和偏压，调整工作气压为0.40～0.45Pa，预溅射10～15min，用于清理靶材表面的杂质，提高靶材的纯度；6)打开试样盘挡板和自转，开始溅射；7)60min后结束溅射，关闭基体加热和自转，关闭溅射电源、偏压，停止通Ar气，并继续抽溅射腔内真空，使样品在溅射腔内随腔冷却至室温后取出，基体Si上得到该四元难熔高熵合金薄膜。