[发明专利]一种超宽带平面魔T

摘要

本发明公开了一种超带宽新型平面魔T，其包括由下至上依次设置的第一金属层、第二金属层、第三金属层和第四金属层，耦合线CL3、耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL6、耦合线CL7、耦合线CL8、开路加载枝节T3、开路加载枝节T4、开路加载枝节T5和开路加载枝节T6构成了3节级联3dB、90度混合电桥；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了90度移相器；由传输线L1、传输线L2、传输线L3、耦合线CL1、耦合线CL2、连接通孔V1、开路加载枝节T1和开路加载枝节T2构成了移相通道，由传输线L4构成了参考通道，进而组合成魔T结构。本发明结构紧凑、体积小巧，能进一步扩展带宽。

主权项

1.一种超宽带平面魔T，其特征在于：包括有输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5，其中：/n所述第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)和第四金属层(4)由下至上依次设置；/n所述第一金属层(1)的前端由左至右依次间隔设有输出端口P3、接地端口P6和输出端口P2，所述第一金属层(1)的后端由左至右依次间隔设有输入端口P1、接地端口P5和输入端口P4；/n所述第一金属层(1)上设有接地屏蔽层GND；/n所述第二金属层(2)上设有传输线L1、传输线L2、传输线L3、传输线L4、传输线L5、传输线L6、耦合线CL1、耦合线CL2、加载开路枝节T1和加载开路枝节T2；/n所述第三金属层(3)上设有耦合线CL3、耦合线CL6、耦合线CL7、开路加载枝节T3和开路加载枝节T6；/n所述第四金属层(4)上设有耦合线CL4、耦合线CL5、耦合线CL8、开路加载枝节T4和开路加载枝节T5；/n所述加载开路枝节T1设于加载开路枝节T2的后侧，开路加载枝节T3设于开路加载枝节T4的后侧，开路加载枝节T5设于开路加载枝节T6的后侧，加载开路枝节T2间隔设于开路加载枝节T3的后侧，开路加载枝节T5间隔设于开路加载枝节T3的右侧；/n所述传输线L1的一端与输入端口P1连接，另一端与耦合线CL1连接，所述耦合线CL1的一端与传输线L1连接，另一端与传输线L2连接，所述耦合线CL2的一端与传输线L2连接，另一端与传输线L3连接，所述传输线L2通过连接通孔V1与接地屏蔽层GND连接，耦合线CL1和耦合线CL2分别连接加载开路枝节T1和加载开路枝节T2，加载开路枝节T1和加载开路枝节T2均与传输线L2连接，所述传输线L3的一端与耦合线CL2连接，另一端通过连接通孔V2与耦合线CL3连接，所述传输线L5的一端通过连接通孔V3与耦合线CL4连接，另一端与输出端口P3连接，所述传输线L4的一端与输入端口P4连接，另一端通过连接通孔V4与耦合线CL5连接，所述传输线L6的一端通过连接通孔V5与耦合线CL6连接，另一端与输出端口P2连接，所述耦合线CL3的一端与连接通孔V2连接，另一端与耦合线CL7连接，所述耦合线CL3与耦合线CL7的连接处连接有开路加载枝节T3，耦合线CL7与耦合线CL6的连接处连接有开路加载枝节T6，所述耦合线CL6的一端与耦合线CL7连接，另一端与连接通孔V5连接，所述耦合线CL4的一端与连接通孔V3连接，另一端与耦合线CL8连接，所述耦合线CL4与耦合线CL8的连接处连接有开路加载枝节T4，所述耦合线CL8与耦合线CL5的连接处连接有开路加载枝节T5，所述耦合线CL5的一端与耦合线CL8连接，另一端与连接通孔V4连接，所述接地端口P5和接地端口P6均与接地屏蔽层GND连接；/n所述输入端口P1、输入端口P4、输出端口P2、输出端口P3、接地端口P5、接地端口P6、第一金属层(1)、第二金属层(2)、第三金属层(3)、第四金属层(4)、连接通孔V1、连接通孔V2、连接通孔V3、连接通孔V4和连接通孔V5均采用LTCC低温共烧陶瓷工艺制作加工；/n所述耦合线CL1和所述耦合线CL2之间为侧边耦合结构，所述耦合线CL3和所述耦合线CL4之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL5和耦合线CL6之间为侧边错位耦合结构，耦合线CL7和耦合线CL8之间为宽边耦合结构。/n