[发明专利]一种提升器件栅控能力的方法

摘要

本发明涉及一种提升器件栅控能力的方法，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底分为器件区和外围区；在所述衬底上沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层上沉积二氧化硅层；去除所述器件区上的二氧化硅层；在所述器件区的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；去除所述外围区上的二氧化硅层；以及刻蚀所述器件区上的第二多晶硅层和第一多晶硅层形成第一栅极，刻蚀所述外围区上的第一多晶硅层形成第二栅极。本发明在不影响所述器件区多晶硅高度的条件下，降低所述外围区多晶硅的高度来减少多晶硅的耗尽，以提升器件外围区的栅控能力。本发明提供的提升器件栅控能力的方法，既有助于提升金属‑氧化物‑半导体(MOS)类器件的栅控能力，又不影响所述器件区的性能。

主权项

1.一种提升器件栅控能力的方法，其特征在于，包括以下步骤：提供衬底，所述衬底分为器件区和外围区；在所述衬底上沉积第一多晶硅层；在第一多晶硅层上沉积二氧化硅层；去除所述器件区上的二氧化硅层；在所述器件区的第一多晶硅层上沉积第二多晶硅层；去除所述外围区上的二氧化硅层；以及刻蚀所述器件区上的第二多晶硅层和第一多晶硅层形成第一栅极，刻蚀所述外围区上的第一多晶硅层形成第二栅极。