[发明专利]用于形成自对准接触物的扩大牺牲栅极覆盖物有效
申请号: | 201810557982.2 | 申请日: | 2018-06-01 |
公开(公告)号: | CN108987276B | 公开(公告)日: | 2021-08-31 |
发明(设计)人: | A·K·杰哈;王海艇;张志强;M·卢特考斯基 | 申请(专利权)人: | 格芯(美国)集成电路科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/336 | 分类号: | H01L21/336;H01L21/28 |
代理公司: | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人: | 程伟;王锦阳 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及用于形成自对准接触物的扩大牺牲栅极覆盖物,其揭露形成装置结构的牺牲栅极覆盖物及自对准接触物的方法。在第一侧间隙壁与第二侧间隙壁之间设置栅极电极。凹入该栅极电极的顶部表面,以在该凹入栅极电极的该顶部表面之上开出空间,其部分暴露出该第一及第二侧间隙壁。移除设置于该凹入栅极电极的该顶部表面之上的该第一及第二侧间隙壁的相应部分,以增加该空间的宽度。在该加宽空间中形成牺牲覆盖物。 | ||
搜索关键词: | 用于 形成 对准 接触 扩大 牺牲 栅极 覆盖 | ||
【主权项】:
1.一种方法,包括:形成第一侧间隙壁、第二侧间隙壁以及设置于该第一侧间隙壁与该第二侧间隙壁之间的栅极电极;凹入该栅极电极的顶部表面,以形成凹入栅极电极并在该栅极电极的该顶部表面之上开出空间,该空间部分暴露出该第一侧间隙壁及该第二侧间隙壁;移除设置于该凹入栅极电极的该顶部表面之上的该第一侧间隙壁的第一片段及该第二侧间隙壁的第一片段,以增加该空间的宽度而形成加宽空间;以及在该加宽空间中形成第一牺牲覆盖物。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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