[发明专利]一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法

摘要

本发明公开了一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其步骤为：于压电衬底上形成第一介质层，通过正性光刻胶曝光和干法蚀刻于第一介质层上形成IDT图形形貌，沉积IDT金属层，然后采用CMP工艺研磨IDT金属层形成相应的IDT金属结构，蚀刻第一介质层后沉积第二介质层。本发明通过正性光刻胶配合干法刻蚀和CMP工艺，可以有效实现金属图形化和IDT金属形貌的控制，满足更小线宽IDT电极的要求，使得目标频率更易达成，且工艺简单，可控性强，极大的降低了成本。

主权项

1.一种高频SAW之IDT铜工艺制造方法，其特征在于包括以下步骤：1)提供压电材料衬底；2)于衬底上沉积介质材料形成第一介质层；3)涂覆正性光刻胶，曝光、显影后定义出IDT图形，采用干法蚀刻工艺刻蚀所述第一介质层以形成与IDT图形相应的膜层形貌，去除正性光刻胶；4)沉积金属形成IDT金属层，所述IDT金属层至少顶层为Cu；5)采用CMP工艺研磨所述IDT金属层至与所述第一介质层平齐，形成与IDT图形相应的IDT金属结构；6)涂覆正性光刻胶，曝光、显影后定义出第一介质层的剥离区域，剥离所述剥离区域之内的介质材料，去除正性光刻胶；7)于步骤6)形成的结构表面沉积介质材料形成第二介质层；8)对预设区域的第二介质层开连接孔。