[发明专利]一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201810559006.0 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108767107B | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 吴雅苹;柯聪明;周江鹏;康俊勇;吴志明;张纯淼 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L43/02 | 分类号： | H01L43/02;H01L43/10;H01L43/12 |
| 代理公司： | 厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 | 代理人： | 张松亭;陈淑娴 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 一种电场调控的二维自旋电子器件及其制备方法，涉及自旋电流的产生和极化率的电场调控。器件结构包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的透明电极，以及与III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极。铁磁金属掺杂在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位，使III‑VI族硫属化物二维材料的电子出现自旋极化；自旋极化的电子在入射激光激发下经由沟道回路产生自旋电流，通过外加垂直电场调节掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料的磁结构在铁磁耦合与反铁磁耦合之间转变，从而可在0～100％范围内调控自旋电流的极化率，构成极化率电可控的二维自旋电子器件。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 电场 调控 二维 自旋 电子器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种电场调控的二维自旋电子器件，其特征在于：包括第一BN二维材料/掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料/第二BN二维材料的三明治结构、分别与第一BN二维材料和第二BN二维材料连接的第一透明电极和第二透明电极，以及与掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料连接的沟道电极；所述掺杂铁磁金属的III‑VI族硫属化物二维材料是在III‑VI族硫属化物二维材料的晶格替位或间隙位掺杂铁磁金属以实现电子自旋极化。
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