[发明专利]具有超接面结构的半导体元件的制备方法及半导体元件有效
| 申请号： | 201810559080.2 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN110556289B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 陈冠宇 | 申请（专利权）人： | 节能元件控股有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/18 | 分类号： | H01L21/18;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 梁挥;鲍俊萍 |
| 地址： | 中国香港柴湾利*** | 国省代码： | 香港;81 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种具有超接面结构的半导体元件及其制备方法，此半导体元件包含：一硅基板及于其上的第一导电型磊晶层；多数第二导电型柱，形成于该第一导电型磊晶层的上表面；其中该多数第二导电型柱具有植入适当量的中性元素。于半导体元件在预定操作温度时，中性元素于该预定操作温度的载子释出量刚好可以抵消或是部份抵消第二导电型掺杂所在磊晶层因为温度上升所额外释出的另一载子数目，避免超接面半导体元件的耐突波电压能力下降。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 超接面 结构 半导体 元件 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有超接面结构的半导体元件的制备方法，其特征在于，包含：/n(a)提供一硅基板；/n(b)于该硅基板上形成一第一导电型磊晶层；/n(c)于该第一导电型磊晶层上制作一掩膜层；/n(d)布植一第二导电型离子及一中性元素于未被掩膜层覆盖的第一导电型磊晶层中；/n(e)移除该掩膜层；/n(f)重复步骤(b)至(e)，以形成多个的第一导电型磊晶层，且该些第一导电型磊晶层中具有第二导电型离子及中性元素。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于节能元件控股有限公司，未经节能元件控股有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810559080.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体装置的形成方法
- 下一篇：堆叠晶片集成电路
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
