[发明专利]芯片及键合垫的形成方法在审
| 申请号： | 201810559212.1 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108807320A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 张超然;周俊;李赟 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/485 | 分类号： | H01L23/485;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种芯片及键合垫的形成方法，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。在本发明提供的芯片及键合垫的形成方法中，探针接触键合垫进行测试时，即使穿入键合垫也不会使内层金属暴露，最终提高了芯片的可靠性，并且减少了芯片报废的几率。 | ||
| 搜索关键词： | 键合 内层金属层 钝化层 图案化 芯片 暴露 内层金属 探针接触 芯片报废 衬底 穿入 测试 | ||
【主权项】：
1.一种键合垫的形成方法，其特征在于，所述键合垫的形成方法包括：形成一内层金属层于一衬底上；形成一图案化的第一钝化层于所述内层金属层上，所述图案化的第一钝化层暴露出所述内层金属层的部分；形成一键合垫于所述图案化的第一钝化层上，所述键合垫与暴露出的所述内层金属层连接。
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