[发明专利]一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法在审
| 申请号： | 201810560532.9 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108754420A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/18;C23C14/24;C23C14/35 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，包括：S1、采用具有绒面结构的玻璃作为衬底；S2、采用真空蒸镀设备与磁控溅射设备，将衬底置于真空蒸镀设备的腔体内，在衬底的绒面蒸镀Cu膜层；S3、将衬底转入磁控溅射设备的真空腔体内，以Al靶为溅射靶材，N2为反应气体，通入氩气，在Cu膜层表面溅镀AlN膜层，得到复合薄膜；S4、将复合薄膜置于真空退火炉中，在400℃的温度下退火2小时，得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜；蒸发室真空度高，蒸发得到的Cu膜质量好，纯度高；磁控溅射镀制AlN薄膜，工艺非常简单，可控性、操作性强；真空退火，达到对掺杂Cu在薄膜中进行再均匀化分布的作用，同时可以提高整个薄膜的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 稀磁半导体薄膜 掺杂 磁控溅射设备 真空蒸镀设备 复合薄膜 制备 薄膜 体内 退火 真空退火炉 氩气 磁控溅射 反应气体 溅射靶材 绒面结构 真空退火 均匀化 可控性 真空腔 蒸发室 镀制 溅镀 膜层 绒面 蒸镀 蒸发 转入 玻璃 | ||
【主权项】：
1.一种制备Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜的方法，其特征在于，包括：S1、采用具有绒面结构的玻璃作为衬底；S2、采用真空蒸镀设备与磁控溅射设备，将衬底置于真空蒸镀设备的腔体内，在衬底的绒面蒸镀Cu膜层；S3、将衬底转入磁控溅射设备的真空腔体内，以Al靶为溅射靶材，N2为反应气体，通入氩气，在Cu膜层表面溅镀AlN膜层，得到复合薄膜；S4、将复合薄膜置于真空退火炉中，在400℃的温度下退火2小时，得到Cu掺杂AlN稀磁半导体薄膜。
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