[发明专利]一种CN薄膜的复合制备方法在审
| 申请号： | 201810560537.1 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108754421A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 彭寿;沈洪雪;姚婷婷;杨勇;李刚 | 申请（专利权）人： | 中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/06 | 分类号： | C23C14/06;C23C14/22;C23C14/35;C23C14/58 |
| 代理公司： | 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 | 代理人： | 陈俊 |
| 地址： | 233010 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开一种CN薄膜的复合制备方法，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面杂质与油污；S2、采用磁控溅射设备与离子束沉积设备，清洗后的衬底先置于磁控溅射设备的真空腔室内，以石墨为溅射靶材，在衬底上制备C膜；S3、制备完C膜的衬底转置于离子束沉积设备的真空腔室内，以N2为离子束的N+离子源，在C膜表面进行离子束沉积，得到CN薄膜；S4、在N2气氛炉中，以250℃对CN薄膜退火3小时；磁控溅射与离子束沉积相互配合且各自独立控制，互不影响，工艺简单，可控性强；退火过程有利于CN薄膜中未参与反应的C、N离子进一步反应，提高薄膜的结晶质量。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 离子束沉积 衬底 制备 磁控溅射设备 真空腔 清洗 复合 室内 退火 衬底表面杂质 磁控溅射 独立控制 溅射靶材 退火过程 可控性 离子束 离子源 气氛炉 石墨 油污 去除 配合 | ||
【主权项】：
1.一种CN薄膜的复合制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、清洗衬底，去除衬底表面杂质与油污；S2、采用磁控溅射设备与离子束沉积设备，清洗后的衬底先置于磁控溅射设备的真空腔室内，以石墨为溅射靶材，在衬底上制备C膜；S3、制备完C膜的衬底转置于离子束沉积设备的真空腔室内，以N2为离子束的N+离子源，在C膜表面进行离子束沉积，得到CN薄膜；S4、在N2气氛炉中，以250℃对CN薄膜退火3小时。
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