[发明专利]一种非等离子干法刻蚀方法有效
| 申请号： | 201810560809.8 | 申请日： | 2018-06-01 |
| 公开（公告）号： | CN108847391B | 公开（公告）日： | 2021-06-08 |
| 发明（设计）人： | 王春;郑波;马振国;吴鑫;王晓娟 | 申请（专利权）人： | 北京北方华创微电子装备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100176 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开提供了一种非等离子干法刻蚀方法，通入包含HF的气体混合物对二氧化硅和氮化硅进行刻蚀，气体混合物还包括含氟气体和/或羟基化合物，其中，各气体成分的流量比例根据所需的二氧化硅/氮化硅刻蚀选择比来确定；判断二氧化硅和氮化硅的刻蚀厚度是否达到预定范围，如果未达到，继续进行所述刻蚀。本公开可以有效避免等离子体损伤和微细结构粘连，通过调节气体流量比例和/或通入顺序，即可有效地控制二氧化硅和氮化硅的选择比，并且工艺简单和设备成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 等离子 刻蚀 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非等离子干法刻蚀方法，包括以下步骤：向反应腔室内通入包含HF的气体混合物对二氧化硅和氮化硅进行刻蚀，所述气体混合物还包括含氟气体和/或羟基化合物，其中，各气体成分的流量比例根据所需的二氧化硅/氮化硅刻蚀选择比来确定；判断所述二氧化硅和氮化硅的刻蚀厚度是否达到预定范围，如果未达到，继续进行所述刻蚀。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北京北方华创微电子装备有限公司，未经北京北方华创微电子装备有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810560809.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种等离子体刻蚀的方法
- 下一篇：金刚石基氮化镓器件制造方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
