[发明专利]一种具有新型终端结构的功率半导体器件在审
| 申请号： | 201810560935.3 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108511516A | 公开（公告）日： | 2018-09-07 |
| 发明（设计）人： | 单建安;伍震威;周贤达;冯浩 | 申请（专利权）人： | 中山汉臣电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/06 |
| 代理公司： | 深圳市千纳专利代理有限公司 44218 | 代理人： | 袁燕清 |
| 地址： | 528437 广东省中山市火*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种具有新型终端结构的功率半导体器件，本发明涉及一种半导体器件，为提供一种具有高耐压能力、高外来电荷耐受能力、低漏电流、高动态开关响应速度并且易于加工制造的半导体器件，本发明提供一种具有条形螺旋形高阻场板的新型终端结构的半导体器件，通过将条形螺旋高阻场板与终端耐压结构相结合，能够有效提升器件的耐压能力和外来电荷耐受能力，并且相对于传统的高阻平面场板结构而言，可以实现更低的漏电流和更高的动态响应速度，在器件高频开关状态下不存在耐压降低的问题，且场板材料选材和加工工艺更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 新型终端 场板 高阻 功率半导体器件 耐受能力 电荷 漏电流 高频开关状态 终端耐压结构 动态响应 开关响应 耐压能力 提升器件 板结构 传统的 高动态 高耐压 螺旋形 平面场 耐压 选材 加工 制造 | ||
【主权项】：
1.一种具有新型终端结构的功率半导体器件，所述的半导体器件包括有位于底部的阴极电极(201)，设于所述的阴极电极(201)上的n+阴极掺杂区(105)，设于所述n+阴极掺杂区(105)的n‑型漂移区(101)，设于所述的n‑型漂移区(101)上方的绝缘介质层(110)，设于所述的n‑型漂移区(101)上方的有源区内的p型阳极掺杂区(102)，设于所述的p型阳极掺杂区(102)上方并与所述的p型阳极掺杂区(102)电学相连的阳极电极(202)；设于所述的n‑型漂移区(101)上方的终端区内的半导体衬底表面的n型或p型掺杂的终止掺杂区(104)，所述的终止掺杂区(104)连接有位于其上方的终止场板(204)；其特征在于，所述的n‑型漂移区(101)上方的位于p型阳极掺杂区(102)和终止掺杂区(104)之间还设有用于帮助终端区耗尽以提升终端区的耐压性能的终端耗尽辅助掺杂结构；所述的绝缘介质层(110)上方的终端区内还设有一条以上的高阻场板层(301)，所述的高阻场板层(301)自有源区的阳极电极(202)向终端区的终止场板(204)呈旋涡状螺旋状延伸，并和终端耗尽辅助掺杂结构相连。
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