[发明专利]一种形成集成磁性器件的磁芯的方法在审
| 申请号： | 201810561056.2 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN109036765A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | F·王;Y·张;N·T·莫菲;B·津恩;J·P·戴维斯 | 申请（专利权）人： | 德克萨斯仪器股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F10/08 | 分类号： | H01F10/08;H01F41/14;H01F41/32 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 11245 | 代理人： | 赵志刚;赵蓉民 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本申请公开了一种形成集成磁性器件的磁芯的方法。集成磁性器件(100)具有磁芯(120)，磁芯(120)包括定位于介电层(106)中的沟槽(108)中的磁性材料层。磁性材料层是平坦的并且平行于沟槽(108)的底部(112)，并且不沿沟槽(108)的侧面(114)向上延伸。通过在介电层(106)上方形成磁性材料层并延伸到沟槽(108)中来形成集成磁性器件(100)。在磁性材料层上方形成保护层。从介电层(106)上方移除磁性材料层，在沟槽(108)中留下磁性材料层和一部分保护层。随后移除沿着沟槽(108)的侧面(114)的磁性材料层。沿着沟槽(108)的底部(112)的磁性材料层提供磁芯(120)。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性材料层 磁芯 磁性器件 介电层 保护层 移除 向上延伸 侧面 平行 平坦 延伸 申请 | ||
【主权项】：
1.一种集成磁性器件，包括：衬底；沟槽结构，其邻近所述衬底；磁芯，其在所述沟槽结构中，在所述沟槽结构的开口下方；以及上部介电层，其放置在所述磁芯上方。
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