[发明专利]一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法有效
申请号: | 201810561065.1 | 申请日: | 2018-06-04 |
公开(公告)号: | CN108520852B | 公开(公告)日: | 2023-06-27 |
发明(设计)人: | 请求不公布姓名 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01J37/32 | 分类号: | H01J37/32 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 王华英 |
地址: | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | 本发明教示一种等离子蚀刻的喷头异常监测系统及方法。该等离子蚀刻的喷头异常监测方法包括,将监控片固定于等离子体刻蚀机的下电极组件上,并确定所述监控片上的复数个监测点的位置;经喷头流出聚合物反应测试的沉积气体,所述沉积气体沉积在所述监控片上,形成聚合物;分别获得所述监控片中各所述监测点处的所述聚合物的厚度,并将所述聚合物的厚度数据之上传到控制中心,根据所述聚合物的厚度数据来判断是否达到停机条件;当达到停机条件,所述控制中心控制等离子刻蚀机即时停机。利用本发明的技术方案,能够准确的监测喷头异常状况,并根据监测结果实现对等离子体刻蚀机台的控制,实现即时停机,从而降低晶圆的报废,提高产品良率。 | ||
搜索关键词: | 一种 等离子 蚀刻 喷头 异常 监测 系统 方法 | ||
【主权项】:
1.一种等离子蚀刻的喷头异常监测方法,其特征在于,包括:将监控片固定于等离子体刻蚀机的下电极组件上,并确定所述监控片上的复数个监测点的位置;经喷头流出聚合物反应测试的沉积气体,所述沉积气体沉积在所述监控片上,以形成聚合物;分别获得所述监控片中各所述监测点处的所述聚合物的厚度,并将所述聚合物的厚度数据上传到控制中心,根据所述聚合物的厚度数据来判断是否达到停机条件;当达到停机条件,所述控制中心控制所述等离子刻蚀机即时停机。
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