[发明专利]一种薄膜倒装LED芯片及其制作方法在审
| 申请号： | 201810561511.9 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN108470812A | 公开（公告）日： | 2018-08-31 |
| 发明（设计）人： | 王兵 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/48 | 分类号： | H01L33/48;H01L33/62;H01L33/38;H01L33/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种薄膜倒装LED芯片及其制作方法。其中，薄膜倒装LED芯片的制作方法包括，提供LED晶圆；在LED晶圆上形成第二钝化层和第一键合层；提供硅基底，在其上形成第二键合层；将第一键合层与第二键合层进行键合，形成LED半成品；对所述LED半成品进行刻蚀，形成刻蚀至第一电极表面的第一孔洞和刻蚀至第二电极表面的第二孔洞；在第一孔洞和第二孔洞内沉积一层金属，形成第一焊盘和第二焊盘；移除衬底。本发明的制作方法，操作简单，不仅提高芯片的外量子效率，同时使芯片电流分布均匀。 | ||
| 搜索关键词： | 孔洞 键合层 薄膜倒装 刻蚀 制作 焊盘 外量子效率 第二电极 第一电极 芯片电流 钝化层 沉积 衬底 硅基 键合 移除 芯片 金属 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜倒装LED芯片的制作方法，包括：提供LED晶圆，所述LED晶圆包括衬底，依次设于衬底上的第一半导体层、有源层、第二半导体层、反射层和第一钝化层，设于第一钝化层表面及延伸至第一半导体层上的第一电极，贯穿第一钝化层并设置在反射层上的第二电极，第一电极和第二电极相互绝缘；在LED晶圆上形成第二钝化层和第一键合层；提供硅基底，在其上形成第二键合层；将第一键合层与第二键合层进行键合，形成LED半成品；对所述LED半成品进行刻蚀，形成刻蚀至第一电极表面的第一孔洞和刻蚀至第二电极表面的第二孔洞；在硅基底的表面、第一孔洞和第二孔洞的侧壁形成第三钝化层；在第三孔洞和第四孔洞内沉积一层金属，形成第一焊盘和第二焊盘；移除衬底。
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