[发明专利]用于电磁辐射的频谱转换元件有效

专利信息
申请号: 201810562758.2 申请日: 2018-06-04
公开(公告)号: CN109040620B 公开(公告)日: 2020-10-09
发明(设计)人: 帕特里克·布尚;利雅得·海达尔;玛蒂尔德·马克西恩 申请(专利权)人: 国家宇航研究所
主分类号: H04N5/33 分类号: H04N5/33;H01Q21/00;H01Q21/06;H01Q1/38;H01Q1/22
代理公司: 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 代理人: 王达佐;王艳春
地址: 法国*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 用于电磁辐射的频谱转换元件(10)包括分布在像素区(ZP)中的太赫天线(2)和红外天线(3)。位于同一像素区中的太赫天线和红外天线被热耦合,并且处于不同像素区中的太赫天线和红外天线不耦合。这种元件使得能够通过使用红外图像检测器捕捉由太赫辐射形成的图像。
搜索关键词: 用于 电磁辐射 频谱 转换 元件
【主权项】:
1.一种用于电磁辐射的频谱转换元件(10),包括:二维支承件(1),具有分别专用于像素的并置区域(ZP);一组第一天线(2),被称为太赫天线,所述太赫天线由所述二维支承件(1)刚性地支承,且所述太赫天线的尺寸被设定为当电磁辐射的波长位于30μm与3mm之间时,即对应于被称为太赫的辐射时,具有用于所述电磁辐射的第一吸收峰(P1),所述太赫天线中的至少一个位于每个像素区(ZP)内;以及一组第二天线(3),被称为红外天线,所述红外天线同样由所述二维支承件(1)刚性地支承,但所述红外天线的尺寸被设定为当所述电磁辐射的波长位于1μm与30μm之间时,即对应于被称为红外的辐射时,具有用于所述电磁辐射的第二吸收峰(P2),所述红外天线中的至少一个位于每个像素区(ZP)内;所述转换元件被布置为使得位于同一像素区(ZP)中的所述太赫天线(2)中的一个和所述红外天线(3)中的一个以热阻彼此热耦合,所述热阻低于当所述太赫天线和所述红外天线位于各个不同的像素区中时所述太赫天线中的任何一个与所述红外天线中的任何一个之间所存在的每个其他热阻,所述同一像素区(ZP)可以是任何像素区。
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