[发明专利]一种X射线探测器件及其制作方法

摘要

本发明公开了一种X射线探测器件及其制作方法，该光栅极型X射线探测器包括衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上；下栅绝缘层，其形成在底部栅电极上；源电极和漏电极，其形成在栅绝缘层上且相互隔开，并与底部栅极有一定相互交叠区域；沟道半导体层，其形成在所述源电极和漏电极上；电荷收集电极，其形成在栅绝缘层上，并与所述源电极和漏电极分别由一定交叠区域；X射线光电导层，其形成在电荷收集电极和上栅绝缘层上；上电极，其形成在所述X射线光电导层上。本发明的X射线探测器件通过采用纵向堆叠的器件结构设计，采用高迁移率沟道半导体层材料和高灵敏度X射线光电导材料，能够实现高灵敏度快速X射线探测。

主权项

1.一种X射线探测器件，其特征在于，包括：衬底；底部栅电极，其形成在所述衬底上且位于衬底中间位置；下栅绝缘层，其形成在底部栅电极上；沟道半导体层，其形成于下栅绝缘层上且位于底部栅电极顶部；源电极和漏电极，其形成在下栅绝缘层上且分别位于沟道半导体层左右两侧；上栅绝缘层，其覆盖在所述沟道半导体层、源电极及漏电极上；电荷收集电极，其形成在所述上栅绝缘层上且在垂直方向上位于所述源电极及漏电极之间，其在衬底上的投影与底部栅电极有一定交叠；X射线光电导层，其形成并覆盖于所述电荷收集电极及上栅绝缘层上；上电极，其形成并覆盖在所述X射线光电导层上，且所述上电极与X射线光电导层的接触为金属欧姆接触或PN结接触或肖特基结接触。