[发明专利]一种增强型高电子迁移率晶体管及其制备方法

摘要

一种增强型HEMT及其制备方法，该方法包括：准备包含衬底、缓冲层、沟道层、势垒层和帽层结构的GaN外延片；在GaN外延片上刻蚀由第一层光罩定义的隔离区和栅极区，形成刻蚀深度深入沟道层的隔离窗口和栅极窗口；依次沉积栅介质层和栅极金属层，使栅介质层和栅极金属层覆盖GaN外延片表面及隔离窗口和栅极窗口的内壁；刻蚀由第二层光罩定义的欧姆接触区，使刻蚀停止在势垒层的表面、内部或底部，形成源极窗口和漏极窗口；沉积欧姆金属层；刻蚀掉由第三层光罩定义的电极区以外的欧姆金属层和栅极金属层，形成源极、漏极和栅极。由于隔离区和栅极区使用同一层光罩同时进行制备，减少了一层光罩的使用，从而有效降低了加工成本，更适合于进行批量生产。

主权项

1.一种增强型高电子迁移率晶体管的制备方法，其特征在于，包括：准备GaN外延片，所述GaN外延片包括沟道层和势垒层；采用光刻工艺，在GaN外延片上刻蚀由第一层光罩定义的隔离区和栅极区，形成刻蚀深度深入GaN外延片沟道层的隔离窗口和栅极窗口；在形成隔离窗口和栅极窗口的器件上依次沉积栅介质层和栅极金属层，使栅介质层和栅极金属层覆盖GaN外延片表面以及隔离窗口和栅极窗口的内壁；在沉积栅介质层和栅极金属层的器件上刻蚀由第二层光罩定义的欧姆接触区，使刻蚀停止在势垒层的表面、内部或底部，形成源极窗口和漏极窗口；在形成源极窗口和漏极窗口的器件上沉积欧姆金属层；使用第三层光罩定义电极区，并刻蚀掉电极区以外的欧姆金属层和栅极金属层，形成源极、漏极和栅极。