[发明专利]激光标记的刻印方法、带激光标记的硅晶片及其制造方法有效
| 申请号： | 201810565558.2 | 申请日： | 2018-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN109148260B | 公开（公告）日： | 2023-04-25 |
| 发明（设计）人： | 桥井友裕;桥本大辅 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/66 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 李婷;刘林华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提出一种与以往相比能够提高晶片外周部的平坦度的激光标记的刻印方法。在向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法中，其特征在于，将上述多个点的每一个借助第1工序（步骤S1）和第2工序（步骤S2）形成，所述第1工序（步骤S1）将激光以第1束径向上述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序（步骤S2）将激光以比上述第1束径小的第2束径向上述规定的位置照射。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 标记 刻印 方法 晶片 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种激光标记的刻印方法，所述激光标记的刻印方法是向硅晶片刻印具有多个点的激光标记的方法，所述激光标记的刻印方法的特征在于，将前述多个点的每一个借助第1工序和第2工序形成，所述第1工序将激光以第1束径向前述硅晶片的外周部的规定的位置照射，所述第2工序将激光以比前述第1束径小的第2束径向前述规定的位置照射。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
