[发明专利]一种零温度系数超低功耗基准电压电路在审
申请号: | 201810566334.3 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108427471A | 公开(公告)日: | 2018-08-21 |
发明(设计)人: | 郭婷婷 | 申请(专利权)人: | 北京中电华大电子设计有限责任公司 |
主分类号: | G05F1/567 | 分类号: | G05F1/567 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 102209 北京市昌平区北七家镇未*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 一种零温度系数超低功耗基准电压电路,主要功能实现零温度系数的基准电压,电路主要由产生负温度系数电压VBE电路和产生正温度系数电压电路组成,将正温度系数电压和负温度系数电压叠加实现零温度系数电压。本发明结构简洁,能实现nA级电流功耗,功耗远远低于传统带隙基准结构。 | ||
搜索关键词: | 零温度系数 负温度系数电压 正温度系数电压 基准电压电路 超低功耗 电路 零温度系数电压 带隙基准结构 电流功耗 电路组成 功能实现 基准电压 功耗 叠加 | ||
【主权项】:
1.一种零温度系数超低功耗基准电压电路,其特征在于,主要包括产生负温度系数电压模块和正温度系数电压模块,其中:负温度系数电压模块,由电流源I1和PNP双极型晶体管P1组成,电流源I1流入PNP双极型晶体管P1的发射极,双极型晶体管的基极和集电极接到地;双极型晶体管的集电极节点VBE连接NMOS器件NM1的栅极;正温度系数电压模块,由电流源I2,NMOS管NM0,NMOS管NM1,电流源I3,NMOS管NM2,NMOS管NM3,电流源I4,NMOS管NM4,NMOS管NM5,电流源I5,NMOS管NM6,NMOS管NM7,电流源I6,NMOS管NM8组成;电流源I2流入NM1的漏极,NM1的源级连接NM0的漏极节点A,NM1的栅极连接节点VBE,NM0的栅极连接NM1的漏极,NM0的源级接地;电流源I3流入NM3的漏极,NM3的源级连接NM2的漏极为节点B,NM3的栅极和NM2的栅极都连接到NM3的漏极,NM2的源级连接节点A;电流源I4流入NM5的漏极,NM5的源级连接NM4的漏极为节点C,NM5的栅极和NM4的栅极都连接到NM5的漏极,NM4的源级连接节点B;电流源I5流入NM7的漏极,NM7的源级连接NM6的漏极为节点D,NM7的栅极和NM6的栅极都连接到NM7的漏极,NM6的源级连接为节点C;电流源I6流入晶体管NM8的漏极,NM8的栅极与NM8的漏极连接为输出电压节点VREF,NM8的源极连接节点D。
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