[发明专利]一种曝光聚焦补偿方法有效
| 申请号： | 201810566904.9 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110568726B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 请求不公布姓名 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/20 | 分类号： | G03F7/20 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 孙佳胤 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明属于半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种曝光聚焦补偿方法，包括如下步骤：提供晶圆，所述晶圆具有不同高度的表面地形；划分所述晶圆表面，依据所述晶圆表面的高度分布趋势，将所述晶圆表面划分为N个区域；建立各个区域的曝光补偿模型；曝光所述晶圆。本发明提供的方法能提高曝光机进行光刻工艺时的聚焦准确性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 曝光 聚焦 补偿 方法 | ||
【主权项】：
1.一种曝光聚焦补偿方法，其特征在于，包括如下步骤：/nS1、提供晶圆，所述晶圆具有不同高度的表面地形；/nS2、划分所述晶圆表面，并测量得到所述晶圆的表面地形图，以所述晶圆的圆心为中心，依据所述晶圆表面的高度分布趋势，将所述晶圆表面划分为第一区域、第二区域以及直至第N区域，N为大于2正整数，并且保证每个区域内所述晶圆表面的高度位于各个区域所设定的高度区间内；/nS3、建立各个区域的曝光补偿模型，在所述第一区域均匀选取设定数量n的聚焦测量点，n为正整数，聚焦测量点1坐标(x
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