[发明专利]级联双有源桥DC-DC变换器的最小电流应力控制方法有效

专利信息
申请号: 201810567928.6 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108809103B 公开(公告)日: 2019-11-01
发明(设计)人: 张兴;郭华越;赵文广;高帅;王付胜 申请(专利权)人: 合肥工业大学
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 合肥和瑞知识产权代理事务所(普通合伙) 34118 代理人: 王挺
地址: 230009 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明公开了级联双有源桥DC‑DC变换器的最小电流应力控制方法。本发明将双有源桥DC‑DC变换器采用输入侧串联输出侧并联的连接方式能增大传输功率,降低对开关器件耐压的要求,在实际工程中具有广泛应用。所提出的最小电流应力控制方法适用于输入侧串联输出侧并联的级联拓扑结构,能够在电路参数存在差异的情况下实现输入均压,采用三重移相的调制方式实现了对变换器的电流应力的优化,该方法控制实施简单,无需电感参数,避免了电感误差对控制所造成的影响,具有广泛的适用性,能有效减小电流应力,减小损耗提高传输效率,并且无需采样电流,降低了成本,具有实际工程应用价值。
搜索关键词: 应力控制 最小电流 实际工程 输入侧 并联 级联 减小 串联 电感 采样电流 传输功率 传输效率 电感参数 电路参数 调制方式 方法控制 级联拓扑 开关器件 连接方式 输入均压 输出 变换器 耐压 应用 优化
【主权项】:
1.一种级联双有源桥DC‑DC变换器的最小电流应力控制方法,其特征在于,应用该控制方法的级联双有源桥DC‑DC变换器的拓扑结构包括直流电压源、n个拓扑结构相同的双有源桥DC‑DC变换器、负载电阻R;所述双有源桥DC‑DC变换器由一个输入电容Ci1(i=1,2,…n),一个原边H桥Hi1(i=1,2,…n),一个等效电感Li(i=1,2,…n),一个高频变压器Ti(i=1,2,…n),一个副边H桥Hi2(i=1,2,…n),一个输出电容Ci2(i=1,2,…n);所述原边H桥Hi1由四个开关管、四个反并联二极管组成,四个开关管分别记为Si1(i=1,2,…n)、Si2(i=1,2,…n)、Si3(i=1,2,…n)、Si4(i=1,2,…n),四个反并联二极管分别记为Wi1(i=1,2,…n)、Wi2(i=1,2,…n)、Wi3(i=1,2,…n)、Wi4(i=1,2,…n);所述副边H桥Hi2由四个开关管、四个反并联二极管组成,四个开关管分别记为Si5(i=1,2,…n)、Si6(i=1,2,…n)、Si7(i=1,2,…n)、Si8(i=1,2,…n),四个反并联二极管分别记为Wi5(i=1,2,…n)、Wi6(i=1,2,…n)、Wi7(i=1,2,…n)、Wi8(i=1,2,…n);所述直流电压源的正极与第一个双有源桥DC‑DC变换器输入电容C11正端相连,n个双有源桥DC‑DC变换器的输入侧串联,第n个双有源桥DC‑DC变换器输入电容Cn1负端与直流电压源的负极相连,n个双有源桥DC‑DC变换器的输出侧并联后再与负载电阻R并联;所述控制方法包括如下步骤:步骤1,将n个双有源桥DC‑DC变换器中的任一个双有源桥DC‑DC变换器记为变换器i(i=1,2,…n),采样输出电压UO、直流电压源的输入电压UIN和变换器i的输入侧电压Ui(i=1,2,…n),并计算得到变换器i的电压传输比Ki(i=1,2,…n),Ki=Ui/NiUO(i=1,2,…n),其中Ni为高频变压器Ti的变比;步骤2,先将输出电压给定值Uref与步骤1采样得到的输出电压UO作差得到输出电压误差信号ΔUO,ΔUO=Uref‑UO,然后将输出电压误差信号ΔUO作为PI调节器M的输入,PI调节器M的输出为基准传输功率p,所述PI调节器M为比例积分调节器,其传递函数GPIM(S)表达式为:其中,S为拉普拉斯算子,kPM为PI调节器M的比例系数,kIM为PI调节器M的积分系数;步骤3,先将变换器i的输入侧电压指令值UIref与步骤1采样得到的变换器i输入侧电压Ui作差得到输入电压误差信号ΔUi(i=1,2,…n),ΔUi=UIref‑Ui,式中然后将输入电压误差信号ΔUi作为PI调节器i(i=1,2,…n)的输入,PI调节器i的输出为变换器i的调节功率Δpi(i=1,2,…n),所述PI调节器i为比例积分调节器,其传递函数GPIi(S)表达式为;其中i=1,2,…n,S为拉普拉斯算子,kPi为PI调节器i的比例系数,kIi为PI调节器i的积分系数;步骤4,将步骤2得到的基准传输功率p与步骤3得到调节功率Δpi作差得到变换器i的传输功率pi(i=1,2,…n),pi=p‑Δpi,限幅0≤pi≤1;步骤5,根据步骤4得到的传输功率pi和步骤1得到的电压传输比Ki,确定变换器i的原边H桥Hi1的桥内移相比Di1(i=1,2,…n)、变换器i的桥间移相比Di2(i=1,2,…n)、变换器i的副边H桥Hi2(i=1,2,…n)的桥内移相比Di3(i=1,2,…n),若pi<pmi,则:若pi≥pmi,则:其中,pmi(i=1,2,…n)为变换器i的临界功率,步骤6,根据三重移相控制方法,分别以开关管Si1、开关管Si2的驱动信号Qi1和Qi2为基准,通过步骤5得到的原边H桥Hi1的桥内移相比Di1、桥间移相比Di2、副边H桥Hi2的桥内移相比Di3,生成分别与开关管Si3、开关管Si4、开关管Si5、开关管Si6、开关管Si7、开关管Si8相对应的驱动信号Qi3、Qi4、Qi5、Qi6、Qi7和Qi8,并通过开关管Si1的驱动信号Qi1、开关管Si2的驱动信号Qi2、开关管Si3的驱动信号Qi3、开关管Si4的驱动信号Qi4、开关管Si5的驱动信号Qi5、开关管Si6的驱动信号Qi6、开关管Si7的驱动信号Qi7和开关管Si8的驱动信号Qi8驱动各个开关管,使得输入侧电压Ui和输出电压Uo分别稳定在输入侧电压指令值UIref、输出电压给定值Uref;所述三重移相控制方法的具体内容包括:(1)n个双有源桥DC‑DC变换器的开关周期TS相同;开关管Si1的驱动信号Qi1相位完全相同,开关管Si2的驱动信号Qi2相位完全相同;(2)同一个双有源桥DC‑DC变换器中,开关管Si1与Si2、开关管Si3与开关管Si4、开关管Si5与开关管Si6、开关管Si7与开关管Si8互补导通;(3)以开关管Si1的驱动信号Qi1为基准,将得到的原边H桥Hi1的桥内移相比Di1、桥间移相比Di2、副边H桥Hi2的桥内移相比Di3生成分别与开关管Si4、开关管Si5、开关管Si8相对应的驱动信号Qi4、Qi5、Qi8,且:同一个变换器中,开关管Si4的驱动信号Qi4滞后于开关管Si1的驱动信号Qi1,滞后时间为原边移相时间Ti1(i=1,2,…n),同一个变换器中,开关管Si5的驱动信号Qi5滞后于开关管Si1的驱动信号Qi1,滞后时间为桥间移相时间Ti2(i=1,2,…n),同一个变换器中,开关管Si8的驱动信号Qi8(i=1,2,…n)滞后于开关管Si1的驱动信号Qi1,滞后时间为副边移相时间Ti3(i=1,2,…n),(4)以开关管Si2的驱动信号Qi2为基准,将得到的原边H桥Hi1的桥内移相比Di1、桥间移相比Di2、副边H桥Hi2的桥内移相比Di3生成分别与开关管Si3、开关管Si6、开关管Si7相对应的驱动信号Qi3、Qi6、Qi7,且:同一个变换器中,开关管Si3的驱动信号Qi3滞后于开关管Si2的驱动信号Qi2,滞后时间为原边移相时间Ti1同一个变换器中,开关管Si6的驱动信号Qi6滞后于开关管Si2的驱动信号Qi2,滞后时间为桥间移相时间Ti2(i=1,2,…n),同一个变换器中,开关管Si7的驱动信号Qi7滞后于开关管Si2的驱动信号Qi2,滞后时间为副边移相时间Ti3
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