[发明专利]包括沟道图案的半导体器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810568075.8 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN109427900A | 公开（公告）日： | 2019-03-05 |
| 发明（设计）人： | 金真范;朴台镇;李钟旼;金锡勋;徐东灿;柳廷昊;成河圭;申东石 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 一种半导体器件和制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：在衬底上的沟道图案，沟道图案在第一方向上延伸；在衬底上的栅极图案，栅极图案在交叉第一方向的第二方向上延伸并围绕沟道图案；以及在沟道图案与栅极图案之间的界面层，界面层形成在沟道图案的上表面和下表面中的至少一个表面上。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道图案 半导体器件 栅极图案 界面层 衬底 上表面 下表面 延伸 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：在衬底上的沟道图案，所述沟道图案在第一方向上延伸；在所述衬底上的栅极图案，所述栅极图案在交叉所述第一方向的第二方向上延伸并且围绕所述沟道图案；以及在所述沟道图案与所述栅极图案之间的界面层，所述界面层形成在所述沟道图案的上表面和下表面中的至少一个表面上，其中所述界面层包含碳或硼。
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