[发明专利]一种银铟镓硒薄膜及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 201810568149.8 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108807572B | 公开（公告）日： | 2020-01-17 |
| 发明（设计）人： | 张险峰;张成;陈庆武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学中山学院 |
| 主分类号： | H01L31/032 | 分类号： | H01L31/032;H01L31/0392;B82Y30/00 |
| 代理公司： | 44437 广州君咨知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王玺建 |
| 地址： | 528400 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，衬底的表面上依次涂覆有Ag | ||
| 搜索关键词： | 硒薄膜 银铟 制备 纳米颗粒层 衬底 涂覆 制备方法和应用 光电转换效率 漂移 导电性能 光伏电池 介电常数 开路电压 退火处理 制备过程 研磨 传统的 非真空 浆料 薄膜 加热 饱和 配置 制作 应用 | ||
【主权项】：
1.一种银铟镓硒薄膜，包括衬底，其特征在于，所述衬底的表面上依次涂覆有Ag
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
