[发明专利]一种半导体离子敏场效应晶体管ISFET的制备方法在审
| 申请号： | 201810569127.3 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108767012A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 孟青;李良浩 | 申请（专利权）人： | 广州市康超信息科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 陈燕娴 |
| 地址： | 511340 广东省广州市增*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种离子敏场效应晶体管的制备方法，包括以下步骤：第一步：设计离子敏场效应晶体管的结构；第二步：生长栅二氧化硅膜；第三步：制备ISFET敏感膜，敏感膜为Si3N4膜，采用化学气相沉积法CVD进行制备；第四步：对敏感膜进行刻蚀；第五步：制备金属电极及引线连接；第六步：对ISFET进行封装；并通过高温蒸气对其进行消毒。本发明所制备的ISFET的响应快，灵敏度高，稳定性好，体积小，成本低，重量轻，适于批量生产及制造，在产业上广泛应用。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 敏感膜 离子敏场效应晶体管 化学气相沉积 栅二氧化硅膜 制备金属电极 半导体离子 高温蒸气 敏场效应 引线连接 灵敏度 晶体管 体积小 重量轻 刻蚀 封装 消毒 生长 响应 应用 制造 生产 | ||
【主权项】：
1.一种离子敏场效应晶体管的制备方法，其特征在于，该制备方法包括以下步骤：第一步：设计离子敏场效应晶体管的结构；第二步：生长栅二氧化硅膜；将上述设计好的ISFET依次进行抛光清洗，氧化光刻，使分别扩散P+区和漏源n+区，去除源、漏之间敏感区上的SiO2，随后生长栅二氧化硅膜；第三步：制备ISFET敏感膜，敏感膜为Si3N4膜，采用化学气相沉积法CVD进行制备，反应气体为SiH4与N2H2+NH3的混合气体；第四步：对敏感膜进行刻蚀；采用等离子体刻蚀对已生长的敏感膜进行刻蚀，向射频发生器中通入C7F14，并将生成的SiF4抽出；第五步：制备金属电极及引线连接；将形成的电极接触孔进行真空蒸发铝、光刻、划片及连接引线；第六步：对ISFET进行封装；采用水凝胶对ISFET的栅区进行覆盖，将上述制备的ISFET置于尼龙管内，采用硅酮树脂对ISFET进行固定，并通过高温蒸气对其进行消毒。
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