[发明专利]半导体功率器件及其终端区的制备方法有效
| 申请号： | 201810569392.1 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN110571153B | 公开（公告）日： | 2023-02-21 |
| 发明（设计）人： | 刘东庆 | 申请（专利权）人： | 比亚迪半导体股份有限公司;宁波比亚迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/331;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 深圳众鼎专利商标代理事务所(普通合伙) 44325 | 代理人： | 吴英铭 |
| 地址： | 518119 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了半导体功率器件及其终端区制备方法。该制备半导体功率器件终端区的方法包括：在第一导电类型衬底的上表面形成绝缘层；在绝缘层远离第一导电类型衬底的表面形成临时电极；对第一导电类型衬底和临时电极施加电压，以使得半导体功率器件中的可动离子富集在绝缘层中远离第一导电类型衬底的一侧；去除临时电极；在绝缘层远离第一导电类型衬底的一侧，去除预定厚度的绝缘层，形成绝缘介质层。该方法操作简单、方便、容易实现，成本较低，易于工业化生产，有效去除所述绝缘介质层中的可动离子，使半导体功率器件的耐压性满足要求，失效率大幅降低，可靠性明显改善。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 功率 器件 及其 终端 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种制备半导体功率器件终端区的方法，其特征在于，包括：/n在第一导电类型衬底的上表面上形成绝缘层；/n在所述绝缘层远离所述第一导电类型衬底的表面上形成临时电极；/n对所述第一导电类型衬底和所述临时电极施加电压，以使得所述半导体功率器件中的可动离子富集在所述绝缘层中远离所述第一导电类型衬底的一侧；/n去除所述临时电极；/n在所述绝缘层远离所述第一导电类型衬底的一侧，去除预定厚度的所述绝缘层，以形成绝缘介质层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
