[发明专利]一种石墨烯/硅结构太阳能电池的生产工艺

摘要

本发明涉及太阳能电池技术领域，尤其为一种石墨烯/硅结构太阳能电池的生产工艺，包括以下流程：步骤一、将硼掺杂叠层硅量子点引入到石墨烯/n型硅结构太阳能电池上，形成p型叠层硅量子点/石墨烯/二氧化硅/n型硅结构太阳能电池。本发明通过将B掺杂叠层硅量子点引入石墨烯/n型硅结构太阳能电池，形成p型叠层硅量子点/石墨烯/二氧化硅/n型硅结构，从而有效提高该太阳能电池的光电转换效率，且p型叠层硅量子点/石墨烯/二氧化硅/n型硅结构太阳能电池避免了单晶硅材料的大量消耗，与传统单晶硅太阳能电池相比能节约2/3单晶硅的消耗，大大降低了硅基太阳能电池的生产成本。

主权项

1.一种石墨烯/硅结构太阳能电池的生产工艺，其特征在于：包括以下流程：步骤一、将硼掺杂叠层硅量子点引入到石墨烯/n型硅结构太阳能电池上，形成p型叠层硅量子点/石墨烯/二氧化硅/n型硅结构太阳能电池，具体的器件制备过程如下：(1)、通过等离子体增强气相沉积法(PECVD)在1cm*1cm尺寸的n型硅上表面制备一层厚度为500nm左右的二氧化硅绝缘层，中间留出0.5cm*0.5cm大小的窗口；(2)、通过磁控溅射方式制备一层Au薄膜铺盖在SiO2绝缘层上作为顶电极使用，厚度为50nm左右；(3)、通过转移将石墨烯层铺盖在n型硅上表面窗口处，石墨烯层厚度为10‑15nm，以期与n型硅形成肖特基结结构，同时石墨烯层边缘与Au电具有电学接触；(4)、通过等离子体增强气相沉积法在石墨烯层上制备非晶硅/非晶碳化硅多层膜结构，激光诱导晶化处理后形成叠层硅量子点多层膜，硅量子点多层膜厚度为30nm左右，以期与石墨烯层形成异质结结构；(5)、在n型硅下表面制备In/Ga合金薄膜作为底电极使用；步骤二、在石墨烯/硅肖特基结界面处引入一层氧化层，对石墨烯/硅肖特基结界面进行修饰。