[发明专利]强场太赫兹自旋发射器及光谱仪在审
申请号: | 201810570581.0 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108981915A | 公开(公告)日: | 2018-12-11 |
发明(设计)人: | 吴晓君;聂天晓;孔德胤;高扬;郭苡辰 | 申请(专利权)人: | 北京航空航天大学 |
主分类号: | G01J3/28 | 分类号: | G01J3/28;G01J3/02;G01J3/10;G01N21/01 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 王莹;吴欢燕 |
地址: | 100191*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明实施例提供了一种强场太赫兹自旋发射器及光谱仪,强场太赫兹自旋发射器包括:预设尺寸的铁磁纳米薄膜、第一磁铁和第二磁铁;第一磁铁和第二磁铁均固定于铁磁纳米薄膜所处的平面内,且第一磁铁和第二磁铁设置在一条直线上,第一磁铁的第一极和第二磁铁的第二极相对设置,第一极和第二极的极性相反,铁磁纳米薄膜设置在第一极和第二极之间;预设脉冲宽度、单脉冲能量为预设能量的泵浦激光透过铁磁纳米薄膜,产生预设频谱宽度、预设辐射场强度的太赫兹脉冲辐射。本发明实施例中提供的强场太赫兹自旋发射器,可实现超宽带、强场太赫兹脉冲辐射的产生,并且可避免现有技术中产生强场太赫兹脉冲辐射时的缺陷。 | ||
搜索关键词: | 磁铁 强场 预设 发射器 纳米薄膜 铁磁 自旋 太赫兹脉冲 第一极 光谱仪 辐射 单脉冲能量 泵浦激光 极性相反 相对设置 超宽带 辐射场 脉冲 频谱 | ||
【主权项】:
1.一种强场太赫兹自旋发射器,其特征在于,包括:预设尺寸的铁磁纳米薄膜、第一磁铁和第二磁铁;所述第一磁铁和所述第二磁铁均固定于所述铁磁纳米薄膜所处的平面内,且所述第一磁铁和所述第二磁铁设置在一条直线上,所述第一磁铁的第一极和所述第二磁铁的第二极相对设置,所述第一极和所述第二极的极性相反,所述铁磁纳米薄膜设置在所述第一极和所述第二极之间;预设脉冲宽度、单脉冲能量为预设能量的泵浦激光透过所述铁磁纳米薄膜,产生预设频谱宽度、预设辐射场强度的太赫兹脉冲辐射。
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