[发明专利]一种精确控制的纳米孔制造方法在审
申请号: | 201810570735.6 | 申请日: | 2018-06-05 |
公开(公告)号: | CN108706543A | 公开(公告)日: | 2018-10-26 |
发明(设计)人: | 袁志山;雷鑫;刘佑明;王成勇 | 申请(专利权)人: | 广东工业大学 |
主分类号: | B82Y40/00 | 分类号: | B82Y40/00 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 林丽明 |
地址: | 510006 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及纳米加工的技术领域,更具体地,涉及一种精确控制的纳米孔制造方法,包括:先提供一块基板,使用聚焦离子束在所需形成纳米孔的位置减薄薄膜,接着将基板装入液池,在基板两端施加电压,当纳米孔达到预期孔径,即停止施加电压,最后清洗基板并干燥,得到位置及尺寸可精确控制的纳米孔。本发明可以在微米级或纳米级多层复合薄膜上制备纳米孔,适用范围广;使用聚焦离子束在所需制造纳米孔的位置,对薄膜进行减薄,纳米孔在减薄位置形成,实现纳米孔的精确定位;且使用电击穿最终形成孔径小于10nm的纳米孔,随着不断施加电压,纳米孔孔径不断扩大,根据实时电压和实时电流,可对纳米孔孔径准确控制,实现所需孔径的纳米孔的精确制造。 | ||
搜索关键词: | 纳米孔 减薄 聚焦离子束 施加电压 基板 制造 薄膜 多层复合薄膜 停止施加电压 基板两端 纳米加工 清洗基板 实时电流 实时电压 准确控制 纳米级 微米级 击穿 液池 制备 装入 | ||
【主权项】:
1.一种精确控制的纳米孔制造方法,其特征在于,包括以下步骤:S1.提供一块基板,所述基板包括P型硅片以及若干层单层薄膜制得的复合薄膜,所述复合薄膜生长于所述P型硅片的一面上;S2.使用聚焦离子束在所需形成纳米孔的位置减薄复合薄膜,减薄区域厚度为复合薄膜厚度的5%~95%;S3.基于电击穿方法,将基板装入液池在基板两端施加电压,当纳米孔达到预期孔径,立即停止施加电压;S4.对步骤S3处理后的基板进行清洗与干燥。
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