[发明专利]一种MEMS原子腔有效

专利信息
申请号: 201810572809.X 申请日: 2018-06-05
公开(公告)号: CN108751118B 公开(公告)日: 2020-01-31
发明(设计)人: 杜利东;刘振宇;赵湛;方震 申请(专利权)人: 中国科学院电子学研究所
主分类号: B81B7/00 分类号: B81B7/00
代理公司: 11021 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 张成新
地址: 100190 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明涉及一种MEMS原子腔,其包括:第一本体,其由第一玻璃基片、第二玻璃基片和带窗口的第一硅片形成,在第一本体的内部形成内腔室;以及加热组件,用于控制MEMS原子腔的工作温度。根据本发明的MEMS原子腔还包括第二本体,在第二本体的内部形成外腔室,第一本体容纳在外腔室内,在第一本体和第二本体之间包括真空绝热层。
搜索关键词: 玻璃基片 真空绝热层 加热组件 内腔室 外腔室 硅片 外腔 容纳 室内
【主权项】:
1.一种MEMS原子腔,包括:/n第一本体,所述第一本体由第一玻璃基片、第二玻璃基片和带窗口的第一硅片形成,在所述第一本体的内部形成内腔室;以及/n加热组件,用于控制所述MEMS原子腔的工作温度;/n其特征在于,所述MEMS原子腔还包括第二本体,在所述第二本体的内部形成外腔室,所述第一本体容纳在所述外腔室内,在所述第一本体和所述第二本体之间包括真空绝热层;/n所述第二本体由第二玻璃基片、第三玻璃基片和带窗口的第二硅片组成;/n所述第一硅片、第二硅片、第一玻璃基片、第二玻璃基片和第三玻璃基片均包括第一表面和第二表面,/n所述第一硅片的第一表面与所述第二玻璃基片的第二表面连接,所述第一硅片的第二表面与所述第一玻璃基片的第一表面连接;并且/n所述第二硅片的第一表面与所述第二玻璃基片的第二表面连接,所述第二硅片的第二表面与所述第三玻璃基片的第一表面连接;/n所述加热组件包括加热线圈和测温线圈,所述加热线圈和所述测温线圈设置在所述第一硅片的第一表面上,且不覆盖所述第一硅片的窗口;/n在所述第一玻璃基片的第二表面上设有带窗口的第一热辐射阻挡层;/n在所述第二玻璃基片的第一表面上设有带窗口的第二热辐射阻挡层;以及/n在所述第三玻璃基片的第二表面上设有带窗口的第三热辐射阻挡层,/n其中,所述第一热辐射阻挡层、第二热辐射阻挡层和第三热辐射阻挡层的窗口均与所述第一硅片的窗口对应地设置。/n
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