[发明专利]半导体存储器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201810573020.6 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109037223A | 公开（公告）日： | 2018-12-18 |
| 发明（设计）人： | 黄盛珉;任峻成 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 王新华 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种半导体存储器件及其制造方法。该半导体存储器件包括单元阵列区域和外围电路区域。该单元阵列区域包括多个电极结构和多个垂直结构，该多个电极结构包括依次堆叠在体导电层上的多个电极，该多个垂直结构穿透电极结构并且连接到体导电层。外围电路区域包括剩余基板和在剩余基板上的外围晶体管。剩余基板具有比体导电层的顶表面高的顶表面。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体存储器件 剩余基板 体导电层 单元阵列区域 外围电路区域 垂直结构 电极结构 顶表面 外围晶体管 穿透电极 电极 堆叠 制造 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器件，包括：单元阵列区域，连接到外围电路区域，所述单元阵列区域包括在体导电层上的多个电极结构和多个垂直结构，所述多个电极结构每个包括依次层叠在所述体导电层上的多个电极，所述多个垂直结构穿透所述多个电极结构并且连接到所述体导电层，所述外围电路区域包括在剩余基板上的外围晶体管，并且所述剩余基板的顶表面高于所述体导电层的顶表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
