[发明专利]晶片的加工方法在审
| 申请号： | 201810573389.7 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109148348A | 公开（公告）日： | 2019-01-04 |
| 发明（设计）人： | 森数洋司;小柳将 | 申请（专利权）人： | 株式会社迪思科 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 于靖帅;乔婉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供晶片的加工方法，能够可靠地将支承基板从晶片的正面剥离。晶片的加工方法包含如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片(2)进行支承的支承基板(8)；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，从支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外线区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，将支承基板从晶片的正面剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 支承基板 紫外线硬化型树脂 波长 紫外线 加工 照射 剥离 紫外线区域 剥离工序 激光光线 加工工序 一体化 粘接力 支承 粘贴 背面 会聚 | ||
【主权项】：
1.一种晶片的加工方法，该晶片由交叉的多条分割预定线划分而在正面上形成有多个器件，其中，该晶片的加工方法具有如下的工序：支承基板准备工序，准备能够透过波长为300nm以下的紫外线且能够对晶片进行支承的支承基板；一体化工序，夹着通过紫外线的照射而降低粘接力的紫外线硬化型树脂将晶片的正面与该支承基板粘贴从而进行一体化；加工工序，在实施了该一体化工序之后，对晶片的背面实施规定的加工；紫外线硬化型树脂破坏工序，在实施了该加工工序之后，从该支承基板侧会聚波长为300nm以下的紫外区域的激光光线而进行照射，从而将紫外线硬化型树脂破坏；以及剥离工序，在实施了该紫外线硬化型树脂破坏工序之后，将该支承基板从晶片的正面剥离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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