[发明专利]一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法有效
申请号: | 201810574248.7 | 申请日: | 2018-06-06 |
公开(公告)号: | CN108794748B | 公开(公告)日: | 2021-08-10 |
发明(设计)人: | 马文石;邱国荣;张志琳;焦元启 | 申请(专利权)人: | 华南理工大学 |
主分类号: | C08G73/12 | 分类号: | C08G73/12;C08J5/18;C08L79/08 |
代理公司: | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人: | 何淑珍;冯振宁 |
地址: | 510640 广*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明公开了一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜及其制备方法。该聚酰亚胺薄膜是由一种聚酰胺酸溶液经热处理得到的,其中聚酰胺酸溶液是由4,4'‑二氨基二苯醚、另一种二胺单体、均苯四甲酸二酐和马来酸酐制备而成,另一种二胺单体为2,2’‑双[4‑(4‑氨基苯氧基苯基)]丙烷、1,3’‑双(4‑氨基苯氧基)苯或1,4’‑双(4‑氨基苯氧基)苯。将上述聚酰胺酸溶液均匀涂覆在玻璃板上,然后放置于真空干燥箱中消除气泡并干燥,然后移入马弗炉中按设定的程序升温和保温,待冷却至室温,再放入水中超声剥离薄膜,然后将薄膜真空干燥,得到具有介电常数是2.19至2.50的聚酰亚胺薄膜。 | ||
搜索关键词: | 一种 介电常数 聚酰亚胺 薄膜 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种低介电常数的聚酰亚胺薄膜,其特征在于,该聚酰亚胺薄膜由以下聚酰亚胺的重复结构单元构成:
其中,m是不为零的整数。
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