[发明专利]半导体存储器及其控制方法有效
| 申请号： | 201810574732.X | 申请日： | 2017-08-21 |
| 公开（公告）号： | CN108447511B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G11C7/04 | 分类号： | G11C7/04;G11C11/406 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 陈建焕;武晨燕 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种半导体存储器及其控制方法，半导体存储器包括：温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；刷新控制单元，通过采样温度传感器所检测的半导体存储器的温度来控制半导体存储器进行自刷新操作的频率；温度控制单元，用于从温度传感器处获取半导体存储器的温度，并发送启动ZQ校准的信号。本发明实现半导体存储器根据自身温度变化自动启动ZQ校准，温度控制单元和刷新控制单元共用温度传感器，可以节省成本，节省功耗。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储器 及其 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体存储器，其特征在于，包括：温度传感器，用于检测半导体存储器的温度；刷新控制单元，连接于所述温度传感器，通过采样所述温度传感器所检测的所述半导体存储器的温度来控制所述半导体存储器进行自刷新操作的频率；以及温度控制单元，连接于所述温度传感器，用于从所述温度传感器处获取所述半导体存储器的温度，并根据所述半导体存储器的温度发送启动ZQ校准的信号。
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