[发明专利]一种互补型阻变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201810574927.4 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108847443B | 公开（公告）日： | 2020-08-11 |
| 发明（设计）人： | 陈心满;蒋治国;张晓楠;章勇 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 李斌 |
| 地址： | 510631 广东省广州市天河区中*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种互补型阻变存储器及其制备方法。所述互补型阻变存储器包括底电极、阻变功能复合层以及顶电极。所述阻变功能复合层包括无机金属氧化物介质层及设于无机金属氧化物介质层之间的六角型蜂巢晶格石墨烯(Graphene)材料薄膜。该互补型阻变存储器解决了阻变存储器十字交叉阵列结构中的串扰问题。该器件具有结构简单，操作电压低，响应速度快等优点，可用于开发高集成密度，低能量功耗的纳米尺度非易失性互补型阻变存储器。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 互补 型阻变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种互补型阻变存储器，其特征在于：包括底电极、顶电极、及夹于底电极与顶电极之间的阻变功能复合层；所述阻变功能复合层包括第一无机金属氧化物介质层、第二无机金属氧化物介质层及夹于所述第一、第二无机金属氧化物介质层之间的石墨烯薄膜，所述底电极与所述第一无机金属氧化物介质层相连接，所述顶电极与所述第二无机金属氧化物介质层相连接。
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