[发明专利]绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件有效
| 申请号： | 201810575915.3 | 申请日： | 2015-06-24 |
| 公开（公告）号： | CN108962749B | 公开（公告）日： | 2021-12-03 |
| 发明（设计）人： | C·P·桑道;F·J·涅德诺斯塞德;V·范特里克 | 申请（专利权）人： | 英飞凌科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/06;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 郑立柱 |
| 地址： | 德国诺伊*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施例涉及绝缘栅双极晶体管器件和半导体器件。一种绝缘栅双极晶体管器件包括半导体衬底，其包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域。第一鳍结构从半导体衬底的漂移区域开始并且垂直于半导体衬底的主表面延伸。绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构沿着第一鳍结构的至少一部分延伸。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双极晶体管 器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种绝缘栅双极晶体管器件，包括：半导体衬底，包括绝缘栅双极晶体管结构的漂移区域；第一鳍结构，从所述半导体衬底的所述漂移区域开始并且垂直于所述半导体衬底的主表面延伸；以及所述绝缘栅双极晶体管结构的第一栅极结构，沿着所述第一鳍结构的至少一部分延伸。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
