[发明专利]通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性

摘要

本公开涉及通过独立控制TEOS流量的沉积径向和边缘轮廓可维持性。本公开披露了用于处理基板的串联处理系统。至少一个处理腔室包括穿孔盖、设置在穿孔盖上的气体阻滞器以及设置在穿孔盖下方的基板支撑件。气体阻滞器包括：气体歧管、在气体歧管中形成的中心气体通道、设置在气体歧管下方的第一气体分配板、在气体歧管中形成的第一和第二气体通道、设置在第一气体分配板下方的第二气体分配板、设置在第二气体分配板下方的第三气体分配板、以及设置在第二气体分配板和第三气体分配板之间的多个直通通道。第二气体分配板包括穿过第二气体分配板的底部而形成的多个通孔、与中心气体通道流体连通的中心开口以及在第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域。

主权项

1.一种用于处理基板的处理腔室，包括：穿孔盖；设置在所述穿孔盖上的气体阻滞器，所述气体阻滞器包括：气体歧管；在所述气体歧管中形成的中心气体通道；设置在所述气体歧管下方的第一气体分配板，所述第一气体分配板包括环绕所述中心气体通道的内沟槽和环绕所述内沟槽的外沟槽；在所述气体歧管中形成的第一气体通道，所述第一气体通道具有与第一气体源流体连通的第一端和与所述内沟槽流体连通的第二端；在所述气体歧管中形成的第二气体通道，所述第二气体通道具有与所述第一气体源流体连通的第一端和与所述外沟槽流体连通的第二端；设置在所述第一气体分配板下方的第二气体分配板，所述第二气体分配板包括：穿过所述第二气体分配板的底部而形成的多个通孔；与所述中心气体通道流体连通的中心开口；以及在所述第二气体分配板的顶表面中形成的凹陷区域，所述凹陷区域环绕所述中心开口；设置在所述第二气体分配板下方的第三气体分配板，所述第三气体分配板包括穿过所述第三气体分配板的底部而形成的多个通孔，并且所述第三气体分配板接触所述穿孔盖的顶表面；设置在所述第二气体分配板和所述第三气体分配板之间的多个直通通道，并且每个直通通道延伸穿过所述穿孔盖；以及设置在所述穿孔盖下方的基板支撑件。