[发明专利]场效应晶体管、存储记忆体及其应用在审
| 申请号： | 201810576347.9 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN108767014A | 公开（公告）日： | 2018-11-06 |
| 发明（设计）人： | 戴明志 | 申请（专利权）人： | 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L27/108 |
| 代理公司： | 南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256 | 代理人： | 王锋 |
| 地址： | 315201 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场效应晶体管、存储记忆体及其应用。所述场效应晶体管包括源极、漏极、沟道区、第一栅极和至少一第二栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。较之现有技术，本发明提供的场效应晶体管结构更为简单，占用空间更少，且制作工艺步骤简化，可以与现有的晶体管制作工艺兼容，成本低廉，并且可以实现单器件存储器，因此在计算机等领域有广泛的应用前景。 | ||
| 搜索关键词： | 沟道区 场效应晶体管 存储记忆 漏极 源极 场效应晶体管结构 晶体管制作工艺 应用 单器件存储器 步骤简化 存储电荷 占用空间 制作工艺 介质层 兼容 计算机 配合 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括源极、漏极、沟道区和第一栅极，所述源极与漏极之间经沟道区连接，所述第一栅极设置在沟道区上，且所述第一栅极与沟道区之间设置有介质层；其特征在于：所述场效应晶体管还包括至少一个第二栅极，所述至少一个第二栅极与所述沟道区配合形成用以存储电荷的结。
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