[发明专利]一种晶圆的对准键合方法

摘要

本发明提供一种晶圆的对准键合方法，包括：于底晶圆的正面形成保护层；于底晶圆的背面形成具有标记刻蚀窗口的掩膜图形；通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，于标记刻蚀窗口内的底晶圆中形成黑硅材料标记，黑硅材料标记用以降低底晶圆对入射光线的反射率；去除保护层及掩膜图形；以黑硅材料标记作为对准光线入射口，采用光学对准工艺将底晶圆与顶晶圆进行对准，并键合底晶圆与顶晶圆。本发明通过控制深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，在需要键合的晶圆背面制作出容易被对准识别的黑硅材料标记，该黑硅材料标记可以降低所述底晶圆对入射光线的反射率，使得在键合中让顶晶圆和底晶圆更加容易对准，两片晶圆键合更加完美。

主权项

1.一种晶圆的对准键合方法，其特征在于，所述晶圆的对准键合方法包括：/n1)提供一底晶圆，于所述底晶圆的正面形成保护层；/n2)于所述底晶圆的背面形成掩膜图形，所述掩膜图形具有标记刻蚀窗口；/n3)采用深反应离子刻蚀工艺对所述底晶圆进行刻蚀，通过控制所述深反应离子刻蚀工艺的刻蚀参数，于所述标记刻蚀窗口内的所述底晶圆中形成黑硅材料标记，所述黑硅材料标记用以降低所述底晶圆对入射光线的反射率；/n4)去除所述保护层及所述掩膜图形；以及/n5)提供一顶晶圆，以所述底晶圆的所述黑硅材料标记作为对准光线入射口，采用光学对准工艺将所述底晶圆与所述顶晶圆进行对准，并键合所述底晶圆与所述顶晶圆。/n