[发明专利]金属凸块及其制造方法在审
| 申请号： | 201810576538.5 | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN108538729A | 公开（公告）日： | 2018-09-14 |
| 发明（设计）人： | 林彦良;曾裕仁;黄昶嘉;郭庭豪;陈承先 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/498 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种凸块结构的实施例，包括：形成在衬底上的接触元件；覆盖衬底的钝化层，钝化层具有露出接触元件的钝化开口；覆盖钝化层的聚酰亚胺层，聚酰亚胺层具有露出接触元件的聚酰亚胺开口；电连接至接触元件的凸块下金属化层(UBM)部件，凸块下金属化层部件具有UBM宽度；以及位于凸块下金属化层部件上的铜柱，铜柱的远端具有铜柱宽度，并且UMB宽度大于铜柱宽度。本发明还提供了一种形成凸块结构的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 接触元件 铜柱 凸块下金属化层 钝化层 聚酰亚胺层 凸块结构 衬底 开口 金属凸块 聚酰亚胺 电连接 钝化 远端 覆盖 制造 | ||
【主权项】：
1.一种凸块结构，包括：接触元件，形成在衬底的上方；钝化层，覆盖所述衬底，所述钝化层具有露出所述接触元件的钝化开口；聚酰亚胺层，覆盖所述钝化层，所述聚酰亚胺层具有露出所述接触元件的聚酰亚胺开口；凸块下金属化层(UBM)部件，电连接至所述接触元件，所述凸块下金属化层部件具有凸块下金属化层宽度；以及铜柱，位于所述凸块下金属化层部件上，所述铜柱的远端具有铜柱宽度，所述凸块下金属化层宽度大于所述铜柱宽度，所述钝化开口和所述聚酰亚胺开口的组合形成的所述铜柱的安装端具有阶梯状轮廓或台阶状轮廓并且铜柱的侧壁具有锥线型轮廓或倾斜轮廓。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
