[发明专利]一种半导体红外探测器及其制备方法在审
申请号: | 201810576555.9 | 申请日: | 2018-06-07 |
公开(公告)号: | CN108550651A | 公开(公告)日: | 2018-09-18 |
发明(设计)人: | 宋欢 | 申请(专利权)人: | 宋欢 |
主分类号: | H01L31/102 | 分类号: | H01L31/102;H01L31/0304;H01L31/18;H01L23/12;H01L23/367 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 450035 河南省郑*** | 国省代码: | 河南;41 |
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摘要: | 本发明公开一种半导体红外探测器及其制作方法,属于光电子信息领域,涉及一种半导体红外光探测器,包括红外测试芯片、透镜、阳极引线、阴极引线、绝缘层、散热基底、阳极引脚、阴极引脚、支架。其中红外测试芯片包括直流电源、一级电极、二级电极、三级电极、阳极导线、阴极导线、重掺杂吸收层、过渡层、轻掺杂吸收层、有源层、缓冲层、半绝缘基底。在探测过程中,该红外探测器可根据红外光子的波段选择不同探测电路以提高探测效率,通过调控掺杂浓度及薄膜厚度进一步提高探测精度,具有暗电流小、分辨率高、探测温度高的优点。 | ||
搜索关键词: | 电极 半导体红外探测器 红外测试 吸收层 基底 探测 绝缘层 芯片 光电子信息领域 透镜 半导体红外光 红外探测器 波段选择 红外光子 探测电路 探测过程 探测效率 阳极导线 阳极引脚 阳极引线 阴极导线 阴极引脚 阴极引线 直流电源 暗电流 半绝缘 过渡层 缓冲层 轻掺杂 重掺杂 散热 分辨率 探测器 源层 支架 制备 薄膜 掺杂 调控 制作 | ||
【主权项】:
1.一种半导体红外探测器,其特征在于包括:红外测试芯片、透镜、阳极引脚、阴极引脚、绝缘层、散热基底、导线、支架,透镜通过硅胶固定在支架的卡槽内,阳极引脚与阴极引脚通过支架卡槽固定,红外测试芯片与绝缘层通过钎焊工艺连接,绝缘层与散热基底之间采用导热硅胶连接,散热基底采用导热硅胶固定在支架内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的