[发明专利]一种多孔硅太阳能电池结构及制备方法在审
| 申请号： | 201810577678.4 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108807574A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 陈诺夫;石岱星;徐甲然;陶泉丽;白一鸣 | 申请（专利权）人： | 华北电力大学 |
| 主分类号： | H01L31/042 | 分类号： | H01L31/042;H01L31/18 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 102206 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。制备步骤包括制备p型单晶硅片；在p型单晶硅片正面制备多孔硅结构；采用磷快速热扩散方法制备p‑n结；最后制备上、下电极。本发明相较于传统晶硅电池，是将原先的两个步骤倒金字塔表面织构化和沉积减反射层简化为制作多孔硅层一个步骤，可以大幅度降低制作成本，同时多孔硅的宽带隙使得其可以作为窗口层，吸收高能量光子，提高了太阳能电池效率。 | ||
| 搜索关键词： | 制备 多孔硅 太阳能电池结构 多孔硅层 太阳能电池效率 表面织构化 多孔硅结构 高能量光子 快速热扩散 倒金字塔 减反射层 晶硅电池 窗口层 宽带隙 下电极 沉积 制作 吸收 | ||
【主权项】：
1.一种多孔硅太阳能电池结构，包括p型硅层，在所述p型硅层的一侧形成有n型硅层，其特征在于：在所述n型硅层不与所述p型硅层接触的一侧形成有多孔硅层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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