[发明专利]一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法有效
| 申请号： | 201810578005.0 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108706968B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 贾利军;沈琦杭;邱华;解飞;郑宇航;李元勋;张怀武 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01F1/34 | 分类号： | H01F1/34;C04B35/34;C04B35/64;H01F1/03 |
| 代理公司： | 电子科技大学专利中心 51203 | 代理人： | 吴姗霖 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： |
一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分，所述主成分以各自标准物计的含量为：Fe |
||
| 搜索关键词： | 一种 低温 烧结 直流 偏置 nicuzn 铁氧体 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体，包括主成分和副成分，所述主成分以各自标准物计的含量为：Fe2O3 47～50mol％，NiO 18～22mol％，ZnO 18～22mol％，CuO 9～13mol％，Co2O3 0.1～0.4mol％，相对所述主成分总量，所述副成分以其标准物计的含量为：BZB：0.3～0.6wt％，Bi2O3：0.03～0.08wt％，CuO：0～0.03wt％。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810578005.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
