[发明专利]一种在柔性塑料基底上低温电沉积制备有序ZnO纳米棒的方法在审
| 申请号： | 201810578307.8 | 申请日： | 2018-06-05 |
| 公开（公告）号： | CN108588778A | 公开（公告）日： | 2018-09-28 |
| 发明（设计）人： | 卢辉;马金福;马会军;穆晓彪;宁晓杰 | 申请（专利权）人： | 北方民族大学 |
| 主分类号： | C25D9/08 | 分类号： | C25D9/08;C25D5/56;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 成都天汇致远知识产权代理事务所(普通合伙) 51264 | 代理人： | 韩晓银 |
| 地址： | 750021 宁夏回族*** | 国省代码： | 宁夏;64 |
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| 摘要： | 本发明的目的，提供一种利用简单、低温、直接的电沉积手段，在负载有ITO导电膜的柔性塑料衬底上制备一维有序的ZnO纳米棒阵列的方法。包括以下步骤：采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加‑0.9～‑1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。利用本发明可以在柔性PET/ITO基底上低温可控制备得到ZnO纳米棒阵列薄膜，作为柔性光电子器件材料。 | ||
| 搜索关键词： | 电解杯 基底 三电极体系 柔性塑料 制备 薄膜 柔性光电子器件 低温电沉积 恒温水浴锅 溶液导电性 饱和甘汞 参比电极 工作电极 一维有序 阴极沉积 电沉积 电解液 对电极 恒电位 可控制 电极 衬底 构建 丝电 沉积 填充 饱和 施加 保证 | ||
【主权项】：
1.一种在柔性塑料衬底上低温电沉积制备ZnO纳米棒阵列薄膜的方法，其特征在于包括以下步骤：(1)采用柔性PET/ITO基底为工作电极，Pt丝电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，构建三电极体系；(2)将三电极体系置于电解杯中，电解杯中填充浓度为0.0001mol/L～0.001mol/L的Zn(CH3COO)2水溶液，并添加0.1M的KCl增强溶液导电性；(3)将电解杯放于50～80℃的恒温水浴锅中，并向其内提前通入流量为10～20mL/min的O2以保证电解液氧含量饱和直至反应结束，沉积过程采用恒电位阴极沉积法，电极两端施加‑0.9～‑1.2V并反应30min～60min即可得到均匀的ZnO纳米棒阵列薄膜。
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