[发明专利]金属氧化物层的形成有效
| 申请号： | 201810579777.6 | 申请日： | 2018-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN109003881B | 公开（公告）日： | 2023-10-24 |
| 发明（设计）人： | 拉马·I·赫格德 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/285 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 潘军 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于在晶片上形成金属氧化物层的方法。在一些实施例中，所述方法包括在晶片上形成金属卤氧化物层，接着对所述晶片进行退火，所述退火从所述层移除卤素以形成金属氧化物层。半导体装置可由所述晶片形成。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 氧化物 形成 | ||
【主权项】：
1.一种方法，其特征在于，包括：在晶片上形成金属卤氧化物层；在所述形成之后，对所述晶片进行退火以从所述层移除卤素；从所述晶片形成半导体装置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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