[发明专利]形成磁阻式随机存取存储器单元的方法有效
| 申请号： | 201810579866.0 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN110581215B | 公开（公告）日： | 2022-10-28 |
| 发明（设计）人： | 洪庆文;李昆儒 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 陈小雯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，包含有下述步骤。首先，形成一第一介电层于一基底上，其中第一介电层包含一第一金属线。接着，形成一图案化第二介电层覆盖第一介电层，其中图案化第二介电层包含一凹槽暴露出第一金属线。接续，形成一阻障层顺应覆盖凹槽以及图案化第二介电层。续之，一金属填满凹槽以及覆盖阻障层。继之，以阻障层为一停止层平坦化金属至暴露出阻障层。后续，形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 磁阻 随机存取存储器 单元 方法 | ||
【主权项】：
1.一种形成磁阻式随机存取存储器单元的方法，其特征在于，包含有：/n形成一第一介电层于一基底上，其中该第一介电层包含一第一金属线；/n形成一图案化第二介电层覆盖该第一介电层，其中该图案化第二介电层包含一凹槽暴露出该第一金属线；/n形成一阻障层顺应覆盖该凹槽以及该图案化第二介电层；/n金属填满该凹槽以及覆盖该阻障层；/n以该阻障层为一停止层平坦化该金属至暴露出该阻障层；以及/n形成一磁性隧穿接面以及一顶电极覆盖该金属，因而形成一磁阻式随机存取存储器单元。/n
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