[发明专利]半导体集成电路的电容装置及其制作方法

摘要

本发明提供一种半导体集成电路的电容装置及其制作方法，采用三层牺牲层及三层支撑层的叠层结构，通过在牺牲层移除后，刻蚀打开支撑层的开口前沉积第一顶部支撑辅助层及第二顶部支撑辅助层，以增加刻蚀阻挡，提高支撑层的剩余厚度。本发明可有效提高电容孔的高度，从而提高垂直电容器的高度以增加电极板表面积，可在相同的单位面积内获得更高的电容值。本发明可以获得剩余厚度介于10~50nm的支撑层，使得垂直电容器结构更稳固，大大降低了具有较大高度的电容倒塌的风险。

主权项

1.一种半导体集成电路的电容装置的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括步骤：1)提供一基底，所述基底具有多个电容触点，于所述基底上形成刻蚀停止层；2)形成叠层结构于所述刻蚀停止层上，所述叠层结构包括依次层叠的第一牺牲层、第一支撑层、第二牺牲层、第二支撑层、第三牺牲层以及第三支撑层；3)刻蚀出电容孔于所述叠层结构中，所述电容孔显露所述电容触点；4)形成第一导电层于所述电容孔的底部及侧壁；5)形成覆盖所述第三支撑层以及所述电容孔顶部开口的阻挡层，并在所述阻挡层上形成掩模图形，基于所述掩模图形刻蚀出第一开口于所述阻挡层及所述第三支撑层，以显露所述第三牺牲层，然后去除所述掩膜图形，保留所述阻挡层；6)采用湿法腐蚀工艺去除所述第三牺牲层，以显露所述第二支撑层；7)形成第一顶部支撑辅助层于所述阻挡层上，以所述第一顶部支撑辅助层、所述阻挡层及所述第三支撑层为第一掩膜，刻蚀出第二开口于所述第二支撑层中，在所述刻蚀过程中，所述第一顶部支撑辅助层及所述阻挡层提供所述第三支撑层的刻蚀阻挡，以提高所述第三支撑层的第一剩余厚度；8)采用湿法腐蚀工艺去除所述第二牺牲层，以显露所述第一支撑层；9)形成第二顶部支撑辅助层于所述第三支撑层上，以所述第二顶部支撑辅助层及所述第三支撑层为第二掩膜，刻蚀出第三开口于所述第一支撑层中，在所述刻蚀过程中，所述第二顶部支撑辅助层提供所述第三支撑层的刻蚀阻挡，以提高所述第三支撑层的第二剩余厚度；10)采用湿法腐蚀工艺去除所述第一牺牲层；以及11)形成电容介质层于所述第一导电层的内表面及外表面，于所述电容介质层上形成第二导电层，以形成包含所述第一导电层、所述电容介质层及所述第二导电层的双面电容器。