[发明专利]一种晶体管的栅极结构及其制造方法在审
| 申请号： | 201810580617.3 | 申请日： | 2018-06-07 |
| 公开（公告）号： | CN108777261A | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 王世铭;胡展源;黄志森 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/423 | 分类号： | H01L29/423;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 徐伟 |
| 地址： | 201315 上海市浦东新区中国（上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种晶体管的栅极结构及其制造方法。上述晶体管的栅极结构，位于衬底上，上述栅极结构与上述衬底之间通过栅极绝缘层隔离，上述栅极结构包括功函数层以及位于上述功函数层与上述栅极绝缘层之间的多组复合阻挡层，每组上述复合阻挡层包括层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，上述第一阻挡层的材质不同于上述第二阻挡层的材质。通过形成多个交替层叠的第一阻挡层与第二阻挡层，能够起到更优的阻挡作用，并改善器件的电特性稳定度。 | ||
| 搜索关键词： | 阻挡层 栅极结构 晶体管 复合阻挡层 栅极绝缘层 功函数层 衬底 交替层叠 电特性 稳定度 制造 隔离 阻挡 | ||
【主权项】：
1.一种晶体管的栅极结构，位于衬底上，所述栅极结构与所述衬底之间通过栅极绝缘层隔离，其特征在于，所述栅极结构包括功函数层以及位于所述功函数层与所述栅极绝缘层之间的多组复合阻挡层，每组所述复合阻挡层包括层叠的第一阻挡层和第二阻挡层，所述第一阻挡层的材质不同于所述第二阻挡层的材质。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华力集成电路制造有限公司，未经上海华力集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201810580617.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
